整流二极管的功能和特性
整流二极管最重要的特性是单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，从负极流出。一般来说，整流二极管是通过烧结p型半导体和n型半导体形成的p-n结界面。
在界面的两侧形成空间电荷层以形成自建电场。当施加的电压等于零时，p-n结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，这也是正常条件下二极管的特性。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
整流电路可分为半波整流电路、全波整流电路和桥式整流电路。整流二极管可以由半导体锗或硅和其他材料制成。硅整流二极管具有高击穿电压、小反向泄漏和良好的高温性能。通常，高压和大功率整流二极管由高纯度单晶硅制成。该器件的结面积很大，可以通过的电流可以达到数千安培，但工作频率不高，一般低于几十kHz。
二极管的特性是单向导电性。
在电路中，电流只能从二极管的正极流入，从负极流出。
二极管正向特性：
二极管反向特性：
在电子电路中，二极管的正极连接到低电位端，负极连接到高电位端。此时，二极管中几乎没有电流流动，二极管处于断开状态。这种连接模式称为反向偏置。当二极管处于反向偏置时，仍会有微弱的反向电流流过二极管，称为泄漏电流。当公共二极管两端的反向电压增加到一定值时，反向电流将急剧增加，二极管将失去单向导电性，二极管将因反向热击穿而损坏。
齐纳二极管：齐纳二极管是一种特殊的表面接触半导体硅二极管。其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线相对陡峭。齐纳二极管工作在反向击穿区。它被称为齐纳管，因为它在电路中与适当的阴极配合后可以起到稳定电压的作用。当稳压器的反向电压在一定范围内变化时，反向电流非常小。当反向电压增加到击穿电压时，反向电流突然急剧增加，稳压器反向击穿。之后，虽然电流在大范围内变化，但稳压器两端的电压变化非常小，这有利于此特性。稳压器的接入在稳定电路方面起着作用。此外，与其他普通二极管不同，齐纳管的反向击穿是可逆的。当反向电压消除时，齐纳管恢复正常。但是，如果反向电流超过允许范围，二极管将因热击穿而损坏。因此，电流应受到电阻的限制。
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